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摇身 2014年1月6日

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回答: kajal沙玛2022年3月5日

                         如果真正的
                        
                         hfin = 1;
                        
                         tsi = 20
                        
                         W = 2 * hfin * tsi;
                        
                         Vth = 1;
                        
                         列夫= 180;
                        
                         DIBL = 1.127 * (W \列夫);
                        
                         vth = Vth-DIBL;
                        
                         λ= 25 * 10 ^ 5;
                        
                         联合国= 100;
                        
                         考克斯= 1;
                        
                         ld = 0.1;
                        
                         电子商务= 1;
                        
                         vg = 2;
                        
                         为vds = 1:4;
                        
                         id (vds) = (2 * W *联合国* Cox / Leff-ld + (vds公司/ Ec)) +(λ* 2 * W * Cox / (Leff-ld) ^ 2) * (vds (vgs-Vth) * - 0.5 * vds ^ 2);
                        
                         结束
                        
                         情节(id、vds公司)
                        
                         包含(“Vds公司,V”)
                        
                         ylabel (的漏极电流,)
                        
                         标题(一个MOSFET的电流-电压特性)
                        
                         结束

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西文 2014年1月6日

的原因代码不给一块是因为你使用vds循环变量。vds循环退出时,= 4。所以情节基本上是(id、4)这不是你想要的东西。你想要的情节(id、1:4)。

这种方式,

                               如果真正的
                              
                               hfin = 1;
                              
                               tsi = 20
                              
                               W = 2 * hfin * tsi;
                              
                               Vth = 1;
                              
                               列夫= 180;
                              
                               DIBL = 1.127 * (W \列夫);
                              
                               vth = Vth-DIBL;
                              
                               λ= 25 * 10 ^ 5;
                              
                               联合国= 100;
                              
                               考克斯= 1;
                              
                               ld = 0.1;
                              
                               电子商务= 1;
                              
                               vg = 2;
                              
                               为vds = 1:4;
                              
                               id (vds) = (2 * W *联合国* Cox / Leff-ld + (vds公司/ Ec)) +(λ* 2 * W * Cox / (Leff-ld) ^ 2) * (vds (vgs-Vth) * - 0.5 * vds ^ 2);
                              
                               结束
                              
                               vds = 1:4;%制造vds公司的新行=(1、2、3、4),而不是vds = 4;
                              
                               情节(id、vds公司)
                              
                               包含(“Vds公司,V”)
                              
                               ylabel (的漏极电流,)
                              
                               标题(一个MOSFET的电流-电压特性)
                              
                               结束

摇身 2014年1月6日

运行上面的程序获得的图像是一条直线,是不实际的。我必须一样Ids vs Vds公司n mosfet或p mosfet的特征

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答案(2)

西文 2014年1月6日

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试试这个:

                             % n沟道增强型MOSFET输出特性
                            
                             清晰的所有;
                            
                             % kn =联合国*考克斯= 100 microA /伏
                            
                             kn = 1的军医;
                            
                             %让W / L = 2
                            
                             W = 360 * (10 ^ (9));
                            
                             L = 180 * (10 ^ (9));
                            
                             β= kn * W / L;
                            
                             % Vth阈值电压
                            
                             Vth = 1;
                            
                             %λ是早期的逆电压电压逆
                            
                             λ= 1/1000;
                            
                             %扫流失源voltge从0到10 v
                            
                             vds = 0:0.5:10;
                            
                             %要求用户输入门电压源
                            
                             vg =输入(“进入vg伏”);
                            
                             %估计数组的长度
                            
                             m =长度(vds);
                            
                             为i = 1: m
                            
                             如果vg < Vth
                            
                             当前的(我)= 0;
                            
                             current1 (i) = 0;
                            
                             elseifvds公司(i) > = (vg - Vth)
                            
                             目前β(1,)= 0.5 * * ((vg - Vth) ^ 2) *(1 +λ* vds公司(i));
                            
                             current1β(1,)= 0.5 * * ((vg - Vth) ^ 2);
                            
                             elseifvds公司(i) < (vg - Vth)
                            
                             当前(1,i) =β* (vds (vgs-Vth) * (i) - 0.5 * (vds公司(i) ^ 2)) *(1 +λ* vds公司(i));
                            
                             current1 (i) =β* (vds (vgs-Vth) * (i) - 0.5 * (vds公司(我)^ 2));
                            
                             结束
                            
                             结束
                            
                             情节(vds公司、当前(1:)“b”vds公司,current1 (1:)“r”)
                            
                             包含(“Vds公司,V”)
                            
                             ylabel (的漏极电流,)
                            
                             标题(一个MOSFET的电流-电压特性)

或者这个

                             % n沟道增强型MOSFET输出特性
                            
                             清晰的所有;
                            
                             % kn =联合国*考克斯= 100 microA /伏
                            
                             kn = 1的军医;
                            
                             %让W / L = 2
                            
                             W = 360 * (10 ^ (9));
                            
                             L = 180 * (10 ^ (9));
                            
                             β= kn * W / L;
                            
                             % Vth阈值电压
                            
                             Vth = 1;
                            
                             %扫流失源voltge从0到10 v
                            
                             vds = 0:0.5:10;
                            
                             %要求用户输入门电压源
                            
                             vg =输入(“进入vg伏”);
                            
                             %估计数组的长度
                            
                             m =长度(vds);
                            
                             为i = 1: m
                            
                             如果vg < Vth
                            
                             当前的(我)= 0;
                            
                             elseifvds公司(i) > = (vg - Vth)
                            
                             目前β(1,)= 0.5 * * (vg - Vth) ^ 2;
                            
                             elseifvds公司(i) < (vg - Vth)
                            
                             当前(1,i) =β* (vds (vgs-Vth) * (i) - 0.5 * (vds公司(i) ^ 2));
                            
                             结束
                            
                             结束
                            
                             情节(vds公司、当前(1:)“b”)
                            
                             包含(“Vds公司,V”)
                            
                             ylabel (的漏极电流,)
                            
                             标题(一个MOSFET的电流-电压特性)