在半导体,有可能使实际潜力井一个“好”层的半导体材料(如InGaAs)两个“屏障”层的另一个半导体材料(如InP)。在此结构中,电子能量更低的“嗯”材料,,看到一些签证官势垒高度的接口材料“屏障”。这种结构广泛用于,例如,激光与光纤通信。在半导体,这种潜在的井被称为“量子井”。(*)
这个m文件(GaAs_QW)计算在砷化镓单量子阱能级不断有效质量与不同的宽度。也块对应的特征函数的势能和宽度。
大卫(*)。a·b·米勒量子力学对科学家和工程师。剑桥。
博士生。埃内斯托Momox贝斯坦。
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引用作为
埃内斯托Momox贝斯坦(2023)。砷化镓单量子阱(//www.tianjin-qmedu.com/matlabcentral/fileexchange/23193-gaas-single-quantum-well), MATLAB中央文件交换。检索。
砷化镓QW /
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