半导体
离散的半导体器件,如二极管和晶体管
使用离散半导体器件转换和纠正。
Simscape块
限流器 | 限流器的行为模型 |
二极管 | 分段或指数二极管 |
门驱动器 | 门驱动器集成电路的行为模型 |
矩形脉冲断开 | 门关断晶闸管 |
网格状的司机 | 行为模型的半桥驱动集成电路 |
网格状的(理想,切换) | 网格状的理想开关和热端口 |
理想的半导体开关 | 理想的半导体开关 |
IGBT(理想,切换) | 理想的绝缘栅双极型晶体管切换应用程序 |
MOSFET(理想,切换) | 理想n沟道MOSFET开关应用 |
n沟道IGBT | n沟道绝缘栅双极型晶体管 |
n沟道JFET | n沟道结型场效应晶体管 |
n沟道LDMOS场效应晶体管 | n沟道横向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管适合高压 |
n沟道MOSFET | n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管使用Shichman-Hodges方程或surface-potential-based模型 |
NPN双极型晶体管 | NPN双极型晶体管使用增强Ebers-Moll方程 |
光耦合器 | 光耦合器的行为模型,电流传感器,控制电流源 |
p沟道JFET | p沟道结型场效应晶体管 |
p沟道LDMOS场效应晶体管 | p沟道横向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管适合高压 |
p沟道MOSFET | p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管使用Shichman-Hodges方程或surface-potential-based模型 |
PNP型双极型晶体管 | PNP型双极型晶体管使用增强Ebers-Moll方程 |
SPICE-Imported MOSFET | 预定义的MOSFET由外部香料分支电路参数化 |
晶闸管 | 晶闸管使用NPN型和PNP晶体管 |
晶闸管(分段线性) | 晶闸管 |
功能
ee_getEfficiency |
耗散功率损失的计算效率功能 |
ee_getPowerLossSummary |
计算耗散功率损失和切换损失 |
ee_getPowerLossTimeSeries |
计算耗散功率损失和切换损失,并返回时间序列数据 |
主题
- 参数化模块的数据表
概述的技术用于指定参数匹配数据块从制造商数据表。
- 从数据表参数化一个分段线性二极管模型
指定块参数的分段线性二极管厂家数据表的数据相匹配。
- 从数据表参数化一个指数二极管
指定块参数的指数二极管厂家数据表的数据相匹配。
- 参数化的指数二极管香料网表
指定块参数的指数二极管与香料网表数据。
- 在半导体模拟热影响
模拟生成的热量和使用热港口设备温度。
- 情节半导体的基本特征
情节的i - v曲线对于半导体器件模型,基于块的参数值。
- MOSFET特征查看器
基于指定参数值验证MOSFET模型行为。