允许用户探索的影响参数选择的电流-电压和C-V特征surface-potential-based MOSFET模型。打开这个例子中,在MATLAB®命令窗口中,类型:ee_mosfet_characteristics。

允许用户探索的影响参数选择的电流-电压和C-V特征surface-potential-based p沟道LDMOS场效应晶体管模型。打开这个例子中,在MATLAB®命令窗口中,类型:ee_p_ldmos_characteristics。

允许用户探索的影响参数选择电流-电压和C-V surface-potential-based热MOSFET模型的特点。打开这个例子中,在MATLAB®命令窗口中,类型:ee_thermal_mosfet_characteristics。

代的电流-电压和C-V NMOS晶体管的特性。定义为gate-source偏压条件和排水——源电压扫描和类型的情节是由双——单击定义扫描参数块。然后点击“生成情节”模型中的超链接。输出电容,C_oss,只是漏源极电压的扫描显示。注意,C-V可以花几分钟每个生成特征。

代的Ic和绝缘栅双极型晶体管的Vce曲线。定义的向量gate-emitter电压和最小和最大collector-emitter电压通过双击块标记为“定义条件(Vge和Vce)”。点击超链接“情节曲线”模型中运行模拟仿真结果。

一代集成电路与Vce IGBT在两个不同的温度曲线。生成图,点击超链接模型中标记为“情节IGBT曲线”。

如何一个IGBT的动态特性取决于其参数。先决条件匹配的动态特性数据表或测量数据来设置参数值定义的静态电流-电压曲线。为此,看到“IGBT的特点”的例子,ee_igbt。使用静态参数设置正确,动态参数可以设置如下:

测试工具可以用来验证简化电流-电压特性和基于事件的时机的建模选项Simscape™电气™n沟道IGBT。这个建模选项只需要相应的开态门电压,电流-电压数据和模型刺激上升时间和断开时间通过collector-emitter电压仿真时间的线性函数。这种方法的优点是快速仿真和参数化更容易。

使用Simscape™电气™详细开关装置模型来创建开关损耗数据表。这可以使用列表数据分段线性切换装置组件模型预测系统模型的总损失为快速配置和/或固定步模拟。

代的n沟道MOSFET的特性曲线。定义向量的栅电压和最小和最大漏源极电压通过双击块标记定义条件(Vg和Vds公司)。然后点击超链接模型中的阴谋的结果。

针对不同的参数化非线性电感器行为的比较。从基本的参数值,参数为线性和非线性表示。然后将这些参数用于Simscape™模型和模拟输出比较。

如何修改方程系数的Jiles-Atherton磁滞影响产生的磁化曲线方程。仿真参数配置为运行四个完整的交流周期初始场强(H)和磁通密度(B)都设置为0。

一个非线性的计算和确认变压器铁心磁化特性。从基本的参数值,核心特征是派生的。然后用于Simscape™模型的一个示例测试电路可用于绘制核心示波器的磁化特性。模型输出已知值相比。

代集成电路与NPN双极型晶体管的Vce曲线。定义基本的矢量电流和最小和最大collector-emitter电压通过双击块标记为“定义条件(Ib和Vce)”。运行测试并生成图的曲线模型中通过点击链接“情节曲线”。

一代集成电路与Vce PNP型双极型晶体管的曲线。定义基本的矢量电流和最小和最大collector-emitter电压通过双击块标记为“定义条件(Ib和Vce)”。运行测试并生成图的曲线模型中通过点击链接“情节曲线”。

代的肖特基势垒二极管的电流与电压曲线。定义了特征向量的温度图通过双击块标记定义温度测试。运行测试和情节上的电流-电压曲线模型中通过点击链接“情节曲线”。

晶闸管的静态行为的验证块对其掩码值。掩码值密切相关数据表值,晶闸管块使用这些值来计算系数的方程模型。

验证的晶闸管块的动态行为对其掩码值。掩码值密切相关数据表值,晶闸管块使用这些值来计算系数的方程模型。双击每个测试的子系统进行进一步的测试信息。

一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)分支电路转化为一个等价的Simscape™组件和比较一些标准的香料和Simscape情节MOSFET特征,即Id和vg, Id和Vds公司,Qiss /门,qos /输出电荷,击穿电压。的subcircuit2ssc函数将所有分支电路组件在一个香料网表文件到一个或多个等效Simscape文件。

使用SPICE仿真结果的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设置的参数值n沟道MOSFET(查找表格)Simscape™。然后,它比较了n沟道MOSFET特征与香料Simscape网表模拟结果。

导入效率Motor-CAD数据映射到参数化Simscape™电气™电动机和驱动(系统级)。这提供了快速的系统级仿真功能的马达驱动同时仍然对损失做出准确的预测。

发现设计参数优化复合电机高频矩曲线匹配所需的曲线。

从日立IGBT模块导入参数并将其保存在一个IGBT(理想,切换)。日立IGBT参数存储在一个XML文件中日立格式。

模型一台洗衣机和引入一个错误的操作。机供水故障在一个特定时间和这个例子模型下的系统响应这一场景。电动马达开关,机器操作由卸货中止部分外鼓。

生成的查找表数据为碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)香料子电路使用ee.spice.semiconductorSubcircuit2lookup功能和参数化一个n沟道MOSFET块Simscape™电气™。