主要内容
半导体
分立的半导体器件，如二极管和晶体管
使用分立半导体器件转换和整流电源。
Simscape块
| 限流器 | 限流器的行为模型 |
| 二极管 | 分段或指数二极管 |
| 门驱动器 | 门驱动集成电路的行为模型 |
| 矩形脉冲断开 | 门关断晶闸管 |
| 网格状的司机 | 半桥驱动集成电路的行为模型 |
| 网格状的(理想,切换) | 具有理想开关和热端口的半桥 |
| 理想的半导体开关 | 理想的半导体开关 |
| IGBT(理想,切换) | 用于开关应用的理想的绝缘栅双极晶体管 |
| MOSFET(理想,切换) | 用于开关应用的理想n沟道MOSFET |
| n沟道IGBT | n沟道绝缘栅双极晶体管 |
| n沟道JFET | n沟道结场效应晶体管 |
| n沟道LDMOS场效应晶体管 | 适用于高电压的n沟道横向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管 |
| n沟道MOSFET | n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管采用Shichman-Hodges方程或表面电势模型 |
| NPN双极型晶体管 | 使用增强的Ebers-Moll方程的NPN双极晶体管 |
| 光耦合器 | 光耦合器作为LED、电流传感器、受控电流源的行为模型 |
| p沟道JFET | p沟道结场效应晶体管 |
| p沟道LDMOS场效应晶体管 | p沟道横向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管适用于高电压 |
| p沟道MOSFET | p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管采用Shichman-Hodges方程或表面电势模型 |
| PNP型双极型晶体管 | 使用增强的埃伯斯-莫尔方程的PNP双极晶体管 |
| SPICE-Imported MOSFET | 预先定义的MOSFET参数由外部SPICE子电路 |
| 晶闸管 | 采用NPN和PNP晶体管的可控硅 |
| 晶闸管(分段线性) | 晶闸管 |
功能
ee_getEfficiency |
计算效率作为耗散功率损耗的函数 |
ee_getPowerLossSummary |
计算耗散功率损耗和开关损耗 |
ee_getPowerLossTimeSeries |
计算功耗损耗和开关损耗，并返回时间序列数据 |
主题
用于指定块参数以匹配来自制造商数据表的数据的技术概述。
为分段线性二极管指定块参数，以匹配来自制造商数据表的数据。
指定指数二极管的块参数以匹配来自制造商数据表的数据。
为指数二极管指定块参数以匹配SPICE网表数据。
通过热口模拟产生的热量和设备温度。
根据块参数值，绘制半导体器件模型的I-V曲线。
根据指定的参数值验证MOSFET模型行为。
特色的例子
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