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模型表面SOI MOSFET的潜力

15的观点(30天)
圣彼得堡MITRA
圣彼得堡MITRA 2019年7月24日
评论道: Nelaturi Nagendra Reddy2021年8月19日
下面的代码编译成功,但没有图被显示在图窗口。在工作区中相应的值也来了。有人能帮忙吗?
%定义物理常数
epsilon_si = 11.68 * 8.854 e-14;
epsilon_ox = 4 * 8.854 e-14;
N_d = 2 e20;
N_a = 1 e17;
L = 0:50:200;
t_f = 2;
t_b = 100;
q = 1.6 e-19;
phi_m = 4.35;
Vds = 0.05;
vg = 4.71;
Vsub = 0;
Vt = 0.026;
ea_si = 4.05;
Eg_si = 1.12;
n_i = 1.5 e10汽油;
t_si =输入(输入通道厚度在纳米的);
%计算参数
c_f = epsilon_ox / (t_f * 1 e);
c_si = (epsilon_si / t_si) * 1 e;
c_b = epsilon_ox / t_b;
%计算势
phi_f = Vt *日志(N_a / n_i);
Vbi = Eg_si / 2 + phi_f;
phi_si = ea_si + Eg_si / 2 + phi_f;
V_fbf = phi_m-phi_si;
Vgs1 = Vgs-V_fbf;
V_fbb = -phi_si;
Vsub1 = Vsub-V_fbb;
%的分析
为x = 1:长度(L)
= 2 * (1 + c_f / c_b + c_f / c_si) / (t_si * t_si * 1 e-14 * (1 + (2 * c_si / c_b)));
b = (q * N_a / epsilon_si) - (2 * Vgs1 * (c_f / c_b + c_f / c_si)) / (t_si * t_si * 1 e-14 * (1 + (2 * c_si / c_b))) - (2 * Vsub1) / (t_si * t_si * 1 e-14 * (1 + (2 * c_si / c_b)));
λ= sqrt (a);
c = b / a;
a1 = (((Vbi + c + Vds公司)- (Vbi + c) * exp(λ* L (x))) / (1-exp(2 *λ* L (x)))) * exp(λ* L (x));
b1 = ((Vbi + c) - (Vds Vbi + c +) * exp(λ* L (x))) / (1-exp(2 *λ* L (x)));
phi_s (x) = a1 * exp(λ* L (x)) + b1 * exp(λ* L (x)) - c;
结束
情节(L, phi_s (1、5));
1评论
Nelaturi Nagendra Reddy
Nelaturi Nagendra Reddy 2021年8月19日
你好先生,
我工作的Modellign隧道场效应晶体管,我试着解决相同的结构,但我也得到空白的情节,如果可能的话帮助我走出这个情节表面TFET的潜力。
谢谢先生。

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接受的答案

KALYAN ACHARJYA
KALYAN ACHARJYA 2019年7月24日
编辑:KALYAN ACHARJYA 2019年7月24日
下面的代码编译成功,但没有图被显示在图窗口吗?
因为你的南phi_s显示所有的值。请reverify phi_s计算。请注意在每个迭代中a1反映为零,a1与phi_s multilcative因素
还要注意你绘图单一的数组元素 phi_s (1、5)。 除了保持a, b,λ和c外的循环,因为它们是独立的x
注意在 phi_s 线:
λ=
1.0684 e + 13
> > L = 50;%只是例子
> > exp(λ* L)
ans =
0
仍然没有解决,提供金属氧化物半导体方程的细节。
好运！
5个评论
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罗西尼更多
罗西尼更多 2021年8月19日
你好先生,
你是如何解决这个问题关于使用上面的代码绘制图表。
我也试着运行这段代码,但我没有得到任何情节除了X和Y轴与阅读。
如果可能的话,请帮助我。
提前谢谢。

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