从系列:用Simulink开发DC-DC变换器控制万博1manbetx
维韦克·拉朱,马修斯
学习如何使用DC-DC变换器的仿真模型来确定功率损耗和模拟变换器的热行为。来自Simscape Electronics™的n沟道MOSFET块用于模拟功率半导体的非线性开关行为和模拟转换器的热行为。
这个例子展示了如何参数化n沟道MOSFET块基于在SEPIC转换器中使用的MOSFET的数据表。数据表中的静态和动态特性都用于参数化数据块。
一旦块被参数化,该示例将显示如何检查块是否与数据表中的稳态和门电荷特征相匹配。为此,使用单独的Simscape™模型来生成这些特征,然后与数据表中的曲线进行比较,以确保紧密匹配。同样地,传递特性和门电荷特性被生成并与数据表进行比较。
然后将参数化的n沟道MOSFET块添加到SEPIC转换器模型中,以取代理想的开关块。这个例子展示了如何添加一个热端口到块和计算耗散功率损失。
你也可以从以下列表中选择一个网站:
选择中国网站(中文或英文)以获得最佳网站性能。其他MathWorks国家站点没有针对您所在位置的访问进行优化。