主要内容

转换器(三相)

控制器驱动双向AC/DC三臂变换器

  • 图书馆:
  • Simscape /电气/半导体转换器/转换器

  • 转换器(三相)块

描述

转换器(三相)块模型的三臂变换器电路,连接三相交流网络到直流网络。

三臂电路中的每一个元件都是相同的开关装置,你可以在转换器(三相)块对话框。中块的实现可以指定交换设备Simscape>>半导体和转换器>半导体图书馆。

图中显示了具有全控制开关器件(如igbt、gto)的变换器的等效电路。

图中显示了带有部分控制开关器件(如晶闸管)的变换器的等效电路。

通过输入端口控制六个交换设备的栅极端口G在这一点转换器(三相)堵塞:

  1. 将所有六个门信号多路转换成一个矢量六脉冲门多路复用器堵塞。

  2. 连接输出六脉冲门多路复用器街区到转换器(三相)堵塞G港口。

您可以为每个交换设备指定一体化保护二极管。积分二极管通过提供用于反向电流的传导路径来保护半导体器件。当半导体器件突然关闭负载时,电感负载可以产生高反向电压尖峰。

这个表格向你展示了如何设置整体保护二极管基于目标的参数。

目标 价值选择 整体保护二极管
优先级仿真速度。 二极管没有动态 二极管堵塞
通过精确指定反向模式充电动态,优先考虑模型保真度。 带充电动力学的二极管 的动态模型二极管堵塞

你可以为每个开关设备包括一个缓冲电路,它由串联的电阻和电容组成。缓冲器电路保护开关设备不受电感负载产生的高压的影响,当设备关闭负载的电压供应时。当开关设备打开时,缓冲电路还可以防止电流的过度变化率。

港口

保守

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与开关设备的门端子相关联的矢量输入端口。将此端口连接到a六脉冲门多路复用器堵塞。

可扩展三相港口

与直流正端子相关的电气节省端口

直流负极对应的电保护端口

参数

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转换器转换装置。默认值为理想的半导体开关

您可以选择的交换设备是:

依赖关系

根据具体交换设备的选择,多个附加参数将可见。

开关设备:GTO

有关更多信息,请参见GTO.

中选择该开关设备时,此开关设备的参数才可见开关装置参数。

阳极和阴极块端口所需的最小电压,用于设备I-V特性的梯度为1 / r,其中r.是值的价值开态阻力

电压对高于正向电压的电流的变化率。

器件关闭时的阳极-阴极电导。该值必须小于1 / R,其中R是值开态阻力

Gate-cathode电压阈值。当门极-阴极电压高于此值时,器件开启。

Gate-cathode电压阈值。当门极-阴极电压低于此值时,器件关闭。

电流阈值。当电流高于这个值时,即使门极-阴极电压低于门触发电压,该器件仍保持打开状态。

开关设备:理想的半导体开关

有关更多信息,请参见理想的半导体开关

中选择该开关设备时,此开关设备的参数才可见开关装置参数。

器件打开时的阳极阴极电阻。

器件关闭时的阳极-阴极电导。该值必须小于1 / R,其中R是值开态阻力

Gate-cathode电压阈值。当门极-阴极电压高于此值时,器件开启。

切换设备:IGBT

有关更多信息,请参见IGBT(理想,切换)

中选择该开关设备时,此开关设备的参数才可见开关装置参数。

集电器和发射极块端口所需的最小电压,用于二极管I-V特性的梯度为1 / r,其中r.是值的价值开态阻力

设备接通时收集器 - 发射极电阻。

设备关闭时收集器 - 发射极电导。该值必须小于1 / R,其中R是值开态阻力

设备亮起的栅极 - 发射极电压。

交换设备:MOSFET

有关更多信息,请参见MOSFET(理想,切换)

中选择该开关设备时,此开关设备的参数才可见开关装置参数。

设备打开时的漏极源电阻。

设备关闭时的漏极源电导。该值必须小于1 / R,其中R是值开态阻力

Gate-source电压阈值。当门源电压高于此值时,设备开启。

开关设备:晶闸管

中选择该开关设备时,此开关设备的参数才可见开关装置参数。

有关更多信息,请参见晶闸管(分段线性)

设备启动时的正向电压。

器件打开时的阳极阴极电阻。

器件关闭时的阳极-阴极电导。取值必须小于1/R.,在那里R.是值的价值开态阻力

Gate-cathode电压阈值。当门极-阴极电压高于此值时,器件开启。

电流阈值。当电流高于这个值时,即使门极-阴极电压低于门触发电压,该器件仍保持打开状态。

开关设备:平均开关

仅当您选择它时,才会看到此交换设备的参数开关装置参数。

笔记

如果选择此模式,则栅极信号的值必须在0.1

器件打开时的阳极阴极电阻。

积分二极管

每个开关器件都有一个完整的保护二极管。

您可以选择的二极管是:

  • 二极管没有动态

  • 带充电动力学的二极管

笔记

如果您选择平均开关切换设备参数切换设备设置,此参数不可见二极管没有动态将自动被选中。

跨越的最小电压+-二极管I-V特征的梯度的块端口为1 / R,其中r.是值的价值关于抵抗力

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管二极管没有动态带充电动力学的二极管

的上方电压对电流的变化率正向电压

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管二极管没有动态带充电动力学的二极管

反向偏压二极管的电导。

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管二极管没有动态带充电动力学的二极管

二极管结电容。

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管带充电动力学的二极管

由外部测试电路测量的峰值反向电流。该值必须小于零。默认值为-235年一种

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管带充电动力学的二极管

测量峰值反向电流时的初始正向电流。该值必须大于零。

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管带充电动力学的二极管

测量峰值反向电流时电流的变化率。该值必须小于零。

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管带充电动力学的二极管

确定如何在块中指定反向恢复时间。默认值为直接指定反向恢复时间

如果您选择指定拉伸系数指定反向回收费用,则指定块用于导出反向恢复时间的值。有关这些选项的更多信息,请参见该块如何计算TM和TAU

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管带充电动力学的二极管

从电流初始为零(二极管关断)到电流下降到峰值反向电流的10%之间的时间间隔。价值反向恢复时间,trr参数必须大于值的值峰值反向电流,IRM的值除以测量iRM时的电流变化率参数。

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管带充电动力学的二极管反向恢复时间参数化直接指定反向恢复时间

块用于计算的值反向恢复时间,trr.该值必须大于1.指定拉伸因子是比指定反向恢复充电的反向恢复时间更容易的方式。拉伸因子的值越大,反向恢复电流耗散的时间越长。

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管带充电动力学的二极管反向恢复时间参数化指定拉伸系数

块用于计算的值反向恢复时间,trr.如果二极管设备的数据表指定了反向恢复电荷的值而不是反向恢复时间的值,则使用此参数。

反向恢复充电是在二极管关闭时继续耗散的总电荷。该值必须小于 一世 2 R. m 2 一种

在哪里:

  • 一世RM是否为该值指定峰值反向电流,IRM

  • 一种是否为该值指定测量iRM时的电流变化率

依赖关系

启用此参数,设置整体保护二极管带充电动力学的二极管反向恢复时间参数化指定反向回收费用

有关这些参数的更多信息,请参阅二极管

阻尼器

阻尼器如果设置参数选项卡,则不可见开关装置平均开关

每个开关设备的缓冲器:

  • 没有一个—默认值。

  • RC缓冲器

阻尼器的阻力。

依赖关系

该参数仅在阻尼器参数设置为RC缓冲器

阻尼器电容。

依赖关系

该参数仅在阻尼器参数设置为RC缓冲器

扩展功能

C / c++代码生成
使用Simulink®Coder™生成C和c++代码。万博1manbetx

介绍在R2013B.