复合三相端口与扩展三相端口的比较。第一电路显示配置有复合三相端口的电压源。相位分配器块提供了Simscape™基础库电气元件的接口。第二电路显示配置有可直接连接到Simscape基础电气元件库的三相扩展端口的电压源。电压源可以通过使用右键菜单上的Simscape块选项从复合端口更改为扩展的三相端口。

如何使用受控的PWM电压和H桥块来控制电机。直流电机块采用制造商数据表参数，该参数指定电机，在从12V直流电源运行时，在2500 rpm和空载速度下提供10W机械电源，无负载速度为4000rpm。因此，如果PWM参考电压设定为其最大值+ 5V，则电机应以4000rpm运行。如果设置为+ 2.5V，则它应以大约2000 rpm运行。仿真模型参数设置为对受控PWM电压和H桥块的平均，从而快速仿真。要验证平均行为，请将模拟模式参数更改为两个块中的PWM。

一个使用两个运放的三角波发生器电路的实现。电路的第一级是由运算放大器构成的比较器。比较器的输出被两个齐纳二极管限制在正负5伏左右。齐纳二极管施加的限制产生方波。

用于a - d转换器的抗混叠滤波器的模拟实现。滤波器截止频率设置为500Hz，以匹配a - d转换器采样频率为1kHz。该测试信号包含一个所需的50Hz正弦波和一个1kHz a -to- d采样频率无法捕获的较高的1100Hz频率分量。该示波器显示捕获的信号无和抗混叠。使用抗混叠滤波器正确测量了50Hz正弦波振幅，振幅为1，对应功率为0.5W，即1ohm参考负载为27dBm。

控制一个四象限的斩波器。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。为了加快仿真速度，采用了一个平均斩波模型。模拟使用了正参考和负参考。总模拟时间(t)为1 s。在t = 0.5 s时，负载直流电源E的极性发生变化。

控制降压转换器的输出电压。为了调整占空比，控制子系统采用了基于pi的控制算法。在整个仿真过程中，输入电压被认为是恒定的。可变电阻为系统提供负载。总模拟时间(t)为0.25秒。在t = 0.15秒时，负载发生变化。

使用永磁同步电机（PMSM）放大助力辅助汽车转向系统中的驱动器施加的力。

如何使用简单的代表模型探索转动能源清除剂的性能。电能由连接到DC电动机轴的偏心质量产生。质量，几何，电机和电气参数必须与预期的机械激发匹配。产生的电力小于提取的机械功率，主要是由于电动机绕组损耗和转子粘性阻尼。这个例子是基于Nunna，K。“建设性互连和基于应用的阻尼分配与应用程序”，伦敦帝国学院（2014年）。这里的模型是简化的，因为省略了DC-DC转换器。

基于绝缘栅双极晶体管(IGBT)中开关和传导损耗产生的温度曲线。有两个降压转换器。对于一个转换器，IGBT连接到福斯特热模型。对于另一个转换器，IGBT连接到一个Cauer热模型。对热模型的参数进行调整，得到大致相同的结果。在50ms的仿真时间内，驱动频率从40kHz变化到20kHz，增加了导通损耗，降低了开关损耗。损耗的变化导致IGBT温度的相应变化。

自定义频率相关传输线模型。特征导纳和传播功能首先来自跨函数的电阻，电抗和遗传。衍生的值使用射频工具箱™。实现了通用线模型[1]simscape™基于拟合参数。比较了频率依赖传输线模型和经典PI截面传输线模型的结果。

基于绝缘栅双极晶体管(IGBT)中开关和传导损耗产生的温度曲线。有两个降压转换器。对于一个转换器，IGBT连接到福斯特热模型。对于另一个转换器，IGBT连接到一个Cauer热模型。对热模型的参数进行调整，得到大致相同的结果。在50ms的仿真时间内，驱动频率从40kHz变化到20kHz，增加了导通损耗，降低了开关损耗。损耗的变化导致IGBT温度的相应变化。

一种在冷却模式下工作的珀耳帖装置，热侧温度为50 degc。在冷却模式中，珀耳帖电池的性能系数（COP）等于通过热电冷却器（TEC）传递的总热量除以电输入功率，COP = QC /销。

利用非线性磁阻块建立自定义变压器的磁滞模型。变压器额定为50W负载，从120V降至12V有效值。采用涡流损耗块对磁化电阻Rm进行了磁畴建模。

使用555计时器以异模式实现的脉冲宽度调制（PWM）输出。占空比由电位计，P1设定。通过占空比控制旋钮运行期间控制电位器。范围显示555计时器的结果输出。要结束模拟，请单击“停止”按钮。